BST82,215
制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 190mA（Ta） 830mW（Tc） TO-236AB
物料参数
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 190mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 10 欧姆 @ 150mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2V @ 1mA |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 40 pF @ 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 830mW（Tc） |
| 工作温度: | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 等级: | - |
| 资质: | - |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TO-236AB |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |